Рубрика «mram»

Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что, несмотря на долгосрочный рост вместе со всей индустрией микроэлектроники, локально рынок памяти очень сильно лихорадит – 130 миллиардов в 2017 году, 163 в 2018, 110 в 2019 и 110 же ожидается по итогам 2020 года. 

Читать полностью »

В статье есть тяжелые фото, так что убрал под спойлеры.

Введение

Проблема запоминания цифровой информации возникла раньше, чем появились собственно компьютеры. Перед тем, как говорить, о конкретных физических реализациях, введем терминологию.

Память — физическое устройство или среда хранения данных. В простейшем случае память — массив нумерованных ячеек, содержащих «1» или «0». Записанные в тетрадке нули и единицы мы памятью считать не будем, так как невозможно (или строго говоря возможно но бессмысленно) автоматическое считывание такой памяти.

С точки зрения организации доступа к данным память можно разделить на следующие несколько типов:

  • RAM – Random Access Memory, память со произвольным доступом. Можно прочитать или изменить любую ячейку.
  • ROM – Read-Only Memory, память, из которой можно прочитать любую ячейку но нельзя записать (Постоянное запоминающее устройство, ПЗУ).
  • FIFO – First In, First Out, память, в которую можно записать только сверху, а прочитать только снизу (в русских словах очередь).
  • Stack(LIFO) – Last In, First Out, Access память, доступ в которой на чтение и запись возможен только к верхнему элементу (мне очень нравится её советское название, магазин).
  • CAM — Content-addressable memory, память, адресуемая по содержимому (русское название — ассоциативная память).

Узоры на ткани

Впервые задача хранения и считывания данных из памяти была поставлена, а затем успешно решена для управления нитями в ткацком станке.
Читать полностью »

Intel готова начать производство памяти MRAM - 1Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.
Читать полностью »

Заинтересовала меня статья aisergeev об Intel с их технологией 3D XPoint. В статье указано, что это технология хранения информации не боящаяся утечки электронов, что в общем-то принято называть энергонезависимой памятью. Замечательно что подобные технологии приходят в нашу жизнь. На данный момент среди твердотельных энергонезависимых устройств хранения информации, наиболее широко распространены usb flash и ssd. Но, у них есть минусы в виде этой самой утечки электронов, что в свою очередь накладывает ограничения на срок хранения информации. Очевидно что Intel выпустил принципиально иной тип памяти, раз уж запись в нём не зависит от утечки электронов.

Очень меня заинтересовала как именно Intel создали свою память. Я поискал в сети и хочу поделиться с вами возможными вариантами этой технологии.
Читать полностью »

Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления - 1
Ранний Micron DRAM, ёмкость 1 Мбит

RAM (random access memory, запоминающее устройство с произвольным доступом) присутствует в любой компьютерной системе, от небольших встроенных контроллеров до промышленных серверов. Данные хранятся в SRAM (статической RAM) или DRAM (динамической RAM), пока процессор работает с ними. С падением цен на RAM модель перемещения данных между RAM и постоянным местом хранения данных может исчезнуть.

RAM сильно подвержена влиянию колебаний рынка, но в долгосрочной перспективе её стоимость идёт вниз. В 2000 году гигабайт памяти стоил более $1000, а сейчас – всего $5. Это позволяет вообразить совершенно другую архитектуру системы.

Базы данных обычно хранятся на дисках, откуда нужная информация считывается при необходимости в память, после чего обрабатывается. Обычно считается, что объём памяти в системе на несколько порядков меньше объёма дисков – например, гигабайты против терабайтов. Но с увеличением объёмов памяти становится эффективнее загружать больше данных в память, уменьшая количество чтений и записей. С уменьшением стоимости RAM становится возможным загружать базы данных в память целиком, проводить операции над ними и записывать их обратно. Сейчас мы уже подошли к точке, в которой некоторые базы не записываются обратно на диск, и постоянно висят в памяти.
Читать полностью »

IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM - 1

В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM).

Вместе с IBM над этим проектом работало много партнеров. Первым была компания Motorola. Затем — компании Infineon, TDK, Micron и другие. Благодаря участию специалистов из этих компаний проект удалось превратить из чисто теоретической концепции в реальную технологию. В течение нескольких лет ряд технических проблем мешал масштабировать память до высокой плотности. Но эту проблему все же удалось решить. И сейчас мы вместе с компанией Samsung подошли к завершающему этапу. Можно сказать, что разработка уже близка к коммерческому запуску. Сейчас основная задача решена, специалисты оптимизируют основную технологию и вспомогательные инструменты. Главным достижением работы с Samsung стал перевод структуры ячейки из горизонтальной в вертикальную.
Читать полностью »

В UCLA создали новый тип магниторезистивной памятиМагниторезистивная память (MRAM) — одно из самых «горячих» направлений исследований новых типов памяти. В перспективе она может превзойти все существующие виды памяти по всем характеристикам. Ячейки MRAM сравнимы по быстродействию с SRAM — памятью, которая используется в кэше процессора, по плотности ячеек — с DRAM. Память MRAM энергонезависима и она гораздо экономичнее и долговечнее флэш-памяти.
Читать полностью »

image

Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей. Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.
Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js