Рубрика «полевые транзисторы»

FET: замышляем новую шалость - 1


В прошлый раз мы разобрали основы полевых транзисторов, поговорили об их нюансах и возможных подвохах. Но на основах здесь дело не заканчивается, поэтому давайте разберём реальные случаи применения этих транзисторов во всём их разнообразии! Я хочу показать вам несколько крутых схем, где дружелюбные полевики, особенно их МОП-модификация, способны вам помочь. Попутно с этим я также представлю вам несколько полевых транзисторов, с которыми вы, как мне кажется, подружитесь надолго. Если, конечно, вы с ними ещё не знакомы.Читать полностью »

Данный текст посвящён особенности использования полевых транзисторов в линейном режиме, и эффекту, из-за которого живучесть полевиков в этом самом режиме (и без того весьма паршивая) дополнительно снижается при больших напряжениях “сток-исток”. Этот эффект был обнаружен профессором неаполитанского университета Паоло Спирито, и получил его имя. Изучая особенности работы с полевыми транзисторами я обнаружил, что информации на русском языке по эффекту Спирито довольно мало, поэтому решил заполнить этот пробел. 

Читать полностью »

Если поискать в интернете схемы подключения оптронов, то можно обнаружить, что в подавляющем большинстве случаев предлагается просто добавить резистор. Это самая простая схема, она же и самая медленная. Когда скорость реакции не устраивает, предлагается ставить более быстрый оптрон, но, во-первых, быстрые оптроны - это дорого, и во-вторых, почему бы не разогнать быстрый оптрон до ещё большей скорости?

Читать полностью »

На просторах интернета достаточно много информации о полевых транзисторах (далее ПТ) и их параметрах, но один из довольно простых, на первый взгляд, параметров, а именно – максимальный постоянный ток, который транзистор может через себя пропустить в ключевом режиме, и не сгореть – приводится в даташитах как-то размыто и неочевидно.

В статье будет рассмотрен пример расчёта максимального тока через MOSFET SQM50P03-07 (взял первый попавшийся из своей схемы), работающий в ключевом режиме, или на участке насыщения.
Читать полностью »

This is Science: Новости с графеновых полей

Открытие графена – одномерного полупроводника – в 2004 году принесло его создателям Гейму и Новосёлову Нобелевскую премию году в 2010, но уже десятилетие спустя после того самого открытия их последователи интенсивно внедряют в жизнь и предлагают различные применения столь уникального материала: от смазки до вакуумных транзисторов.
Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js