SK Hynix подтверждает намерение в 2016 году начать серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти 3D V-NAND

По сообщению источника, компания SK Hynix намерена начать серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти с вертикальной компоновкой (3D V-NAND) в 2016 году.

«После завершения в этом году разработки микросхем 36-слойной памяти 3D NAND, в будущем году мы разработаем 48-слойную память 3D NAND и начнем ее серийный выпуск», — приводит источник слова генерального директора компании SK Hynix, сказанные на этой неделе.

В случае успеха, SK Hynix станет вторым производителем полупроводниковой продукции, освоившим серийный выпуск 48-слойной памяти 3D V-NAND. Как мы уже сообщали, компания Samsung приступила к массовому производству микросхем 48-слойной флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит ^[1] в августе.

Многослойная компоновка позволяет повысить плотность чипов, разместив на той же площади кристалла большее число ячеек. Кроме того, повышается производительность и снижается энергопотребление.

Источник: CDRinfo ^[2]

Источник ^[3]