- PVSM.RU - http://www.pvsm.ru -

SK Hynix подтверждает намерение в 2016 году начать серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти 3D V-NAND

По сообщению источника, компания SK Hynix намерена начать серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти с вертикальной компоновкой (3D V-NAND) в 2016 году.

«После завершения в этом году разработки микросхем 36-слойной памяти 3D NAND, в будущем году мы разработаем 48-слойную память 3D NAND и начнем ее серийный выпуск», — приводит источник слова генерального директора компании SK Hynix, сказанные на этой неделе.

В случае успеха, SK Hynix станет вторым производителем полупроводниковой продукции, освоившим серийный выпуск 48-слойной памяти 3D V-NAND. Как мы уже сообщали, компания Samsung приступила к массовому производству микросхем 48-слойной флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит [1] в августе.

Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит

Многослойная компоновка позволяет повысить плотность чипов, разместив на той же площади кристалла большее число ячеек. Кроме того, повышается производительность и снижается энергопотребление.

Источник: CDRinfo [2]

Источник [3]


Сайт-источник PVSM.RU: http://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: http://www.pvsm.ru/news/101100

Ссылки в тексте:

[1] Samsung приступила к массовому производству микросхем 48-слойной флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит: http://www.ixbt.com/news/2015/08/11/samsung-3d-v-nand-256.html

[2] CDRinfo: http://cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=44666

[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2015/10/17/sk-hynix-2016-48-3d-v-nand.html