- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
На недавнем мероприятии IEDM 2015 специалисты компании Samsung Electronics рассказали о разработке памяти DRAM 20-нанометрового класса и поделились представлениями о том, можно уменьшить DRAM до технологических норм 10 нм. Этот доклад стал ответом на высказываемое в последнее время представителями отрасли мнение, что выпуск DRAM по нормам менее 20 нм невозможно.
Как известно, принцип работы ячейки DRAM построен на хранении электрического заряда в конденсаторе. Переход на все более тонкие нормы означает, что площадь конденсатора уменьшается, в результате чего ухудшается его способность выполнять требуемую функцию.
Производители нашли выход в увеличении длины конденсаторов. Сейчас отношение диаметра цилиндра к длине приближается к 100. Для наглядности: обычной карандаш характеризуется отношением 22. Даже с учетом этого приема емкость в период с 2009 по 2014 год уменьшилась примерно вдвое. Однако производство уже подошло к пределу, когда дальнейшее увеличение отношения диаметра конденсатора к длине становится невозможно. Кроме того, паразитная емкость линий, подведенных к конденсатору, становится сопоставима с его полезной емкостью. Рубежом, за которым описанный подход перестает работать, принято считать 20 нм.
Однако в Samsung придумали, как обойти ограничения.
Во-первых, используя сотовую структуру, позволяющую увеличить диаметр конденсатора примерно на 11%. Как следствие, становится возможным увеличение длины на те же 11%. Это означает, что даже при использовании прежнего диэлектрика полезная емкость увеличивается примерно на 21%. Более того, заменив сетку из конденсаторов одним (One Cylinder Storage, OCS), можно увеличить емкость на 57%. Кстати, технология OCS уже попробована Samsung на предыдущем поколении DRAM.
Во-вторых, используя технологию Air Spacer. Она позволяет уменьшить паразитную емкость за счет формирования воздушного зазора между соседними обкладками и проводниками. Эта технология, в последнее время получившая широкое распространение, позволила Samsung уменьшить паразитную емкость на 34% по сравнению с использованием изолирующего слоя Si3N4.
Остается добавить, что лидер отрасли говорит не об отвлеченных материях, представляющих чисто академический интерес. Разработки уже внедряются на производстве. Как известно, Samsung приступит к серийному выпуску памяти DRAM по нормам 18 нм во втором квартале 2016 года [1].
Источник: Nikkei [2]
Источник [3]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/107201
Ссылки в тексте:
[1] Samsung приступит к серийному выпуску памяти DRAM по нормам 18 нм во втором квартале 2016 года: http://www.ixbt.com/news/2015/12/23/samsung-dram-18-2016.html
[2] Nikkei: http://techon.nikkeibp.co.jp/atclen/news_en/15mk/122400270/?n_cid=nbptec_tecrs
[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2015/12/24/samsung-dram-10.html
Нажмите здесь для печати.