- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Неделю назад организация JEDEC Solid State Technology Association опубликовала спецификации обновлённой памяти HBM [1], которую также можно назвать HBM2. Такая память должна появиться на новых флагманских видеокартах Nvidia и AMD, которые выйдут в текущем году.
Samsung же сообщила, что приступила к массовому производству такой памяти, тогда как микросхемы памяти первого поколения производила лишь Hynix. Сейчас корейский гигант приступил к выпуску микросхем объёмом 4 ГБ. Если быть точным, то стеков такого объёма, каждый из которых состоит из четырёх микросхем плотностью 8 Гбит. Они производятся по 20-нанометровому техпроцессу.
Использование четырёх таких стеков, как несложно подсчитать, позволит оснащать видеокарты 16 ГБ памяти. Но спецификации обновлённой памяти HBM позволяют выпускать стеки объёмом 8 ГБ. К производству такой продукции Samsung приступит в течение года, хотя для потребительских видеокарт 32 ГБ памяти совершенно излишни. Напомним также, что пропускная способность новой памяти достигает 256 ГБ/с.
Источник:
Samsung [2]
Источник [3]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/109438
Ссылки в тексте:
[1] опубликовала спецификации обновлённой памяти HBM: http://www.ixbt.com/news/2016/01/13/opublikovany-specifikacii-obnovljonnoj-pamjati-hbm.html
[2] Samsung: https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface
[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/01/19/samsung-pristupila-k-massovomu-proizvodstvu-mikroshem-pamjati-hbm-vtorogo-pokolenija.html
Нажмите здесь для печати.