- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Производительность новых встраиваемых накопителей Samsung объёмом 256 ГБ, соответствующих спецификациям UFS 2.0, достигает 45 000 IOPS

Компания Samsung объявила о начале массового производства первых в отрасли накопителей объёмом 256 ГБ, которые соответствуют спецификациям UFS 2.0 [1]. Новинки ориентированы на использование в мобильных устройствах.

Напомним, ровно год назад корейский гигант начал выпуск аналогичных решений объёмом 128 ГБ [2], которые нашли применение во флагманских смартфонах компании. Можно предположить, что в нынешнем году появятся первые модели Samsung в модификациях с 256 ГБ флэш-памяти.

Samsung начала выпуск накопителей объёмом 256 ГБ, которые соответствуют спецификациям UFS 2.0

Производительность накопителей достигает 45 000 и 40 000 IOPS на операциях чтения и записи соответственно. Для сравнения, прошлогодние накопители характеризовались производительностью 19 000 и 14 000 IOPS, так что прирост более чем впечатляет.

Скорость чтения при этом может достигать 850 МБ/с, а скорость записи — 260 МБ/с. С учётом постепенного перехода производителей смартфонов на интерфейс USB 3.1 и порты USB-C, такие скоростные показали вовсе не кажутся излишними.

Источник:
Samsung [3]

Источник [4]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/113452

Ссылки в тексте:

[1] спецификациям UFS 2.0: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/19/30

[2] аналогичных решений объёмом 128 ГБ: http://www.ixbt.com/news/ht/186678

[3] Samsung: https://news.samsung.com/global/samsung-introduces-industrys-first-256-gigabyte-universal-flash-storage-for-high-end-mobile-devices

[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/02/26/samsung-256-ufs-2-0-45-000-iops.html