Samsung первой начинает выпуск 18-нанометровой памяти DRAM, которая может изменить расстановку сил на рынке

В декабре прошлого года появилась информация, что Samsung приступит к массовому производству памяти DRAM по нормам 18 нм во втором квартале 2016 ^[1]. Согласно новым сведениям, южнокорейский производитель освоил новую технологию с опережением срока и уже приступил к выпуску этой продукции.

Важно понимать, что рубеж 20 нм считался непреодолимым при производстве DRAM, пока в конце прошлого года специалисты Samsung не рассказали, как можно уменьшить DRAM до технологических норм 10 нм ^[2]. Таким образом, компания Samsung стала первым и пока единственным производителем, освоившим выпуск DRAM по нормам менее 20 нм.

Переход к более тонким нормам позволяет снизить себестоимость памяти, обеспечивая Samsung конкурентное преимущество на рынке, страдающем от сокращения спроса на ПК и ослабления интереса к мобильным устройствам.

По данным источника, компания Samsung уже заказала дополнительное оборудование для выпуска памяти по нормам 18 нм, которое будет введено в эксплуатацию во втором полугодии. Именно тогда на рынке DRAM может развернуться настоящая драма — южнокорейский производитель сможет продавать свою продукцию с прибылью по такой цене, при которой производство по нормам 20-нанометрового класса становится убыточным. Уточним, что ближайший конкурент Samsung — SK Hynix — выпускает память DRAM по нормам менее 25 нм, тогда как Micron — более 25 нм. По оценке аналитиков, отставание Micron от лидера отрасли превысило два года. В этих условиях продажа Micron китайцам может оказаться ^[3] более реальной перспективой, чем казалось до недавнего времени.

Источник отмечает повышенные меры секретности, принимаемые компанией Samsung, не желающей, чтобы ее технологические секреты раньше времени попали в руки конкурентов. Как утверждается, о необходимости хранить тайну производитель предупредил заказчиков, получающих ознакомительные образцы новых микросхем.

Источник: ETNews ^[4]

Источник ^[5]