Samsung представила микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса

Компания Samsung Electronics представила микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса. Известно, что Samsung недавно первой начала выпуск 18-нанометровой памяти DRAM ^[1], так что, вероятнее всего, новые микросхемы изготовлены именно по 18-нанометровой технологии.

Вероятнее всего, новая память будет использоваться в смартфоне Galaxy Note 6, анонс которого ожидается в августе. В этом случае Galaxy Note 6 станет первым мобильным устройством с 6 ГБ памяти LPDDR4, выпускаемой по технологии 10-нанометрового класса.

Память LPDDR4, выпускаемая по технологии 10-нанометрового класса, отличается от своей предшественницы повышенным быстродействием и пониженным энергопотреблением.

Источник: Huanqiu ^[2]

Источник ^[3]