Техпроцесс Globalfoundries SiGe 8XP предназначен для выпуска радиочастотных полупроводниковых изделий, включая компоненты для оборудования сетей 5G

в 11:01, , рубрики: Новости, метки:


Новости о техпроцессах обычно касаются логических микросхем и микросхем памяти, и в последнее время в них фигурируют нормы менее 20 нм. Между тем, значительная часть полупроводниковой продукции выпускается по более крупным нормам и оптимизируется по другим критериям. Например, это касается радиочастотных изделий, для выпуска которых предназначен новый техпроцесс SiGe 8XP, представленный компанией Globalfoundries.

Техпроцесс SiGe 8XP является развитием техпроцесса SiGe 8HP

Это техпроцесс нового поколения, позволяющий изготавливать германиево-кремниевые приборы для микроволновых радаров, систем спутниковой связи, базовых станций сотовых сетей и других радиочастотных приложений.

Техпроцесс, в котором используются нормы 130 нм, является оптимизированной версией техпроцесса SiGe 8HP. По словам производителя, он позволяет изготавливать биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT), которые характеризуются меньшим уровнем шума и большей целостностью, а по максимальной частоте генерации, равной 340 ГГц, на 25% превосходят транзисторы, изготовленные по техпроцессу SiGe 8HP. По параметрам они оставляют далеко позади кремниевые транзисторы (CMOS), а по цене оказываются привлекательнее транзисторов из арсенида галлия (GaAs). Частью техпроцесса является новая технология медной металлизации, рассчитанной на более высокие токи и температуры по сравнению с используемой сейчас. Совместно с SiGe 8XP можно использовать технологию межслойных соединений TSV

По словам Globalfoundries, потребность в полупроводниковых изделиях, изготавливаемых по техпроцессу SiGe 8XP, будет расти в связи с внедрением сетей 5G.

Источник: Globalfoundries

Источник

Поделиться новостью

* - обязательные к заполнению поля