- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

IBM и Samsung уменьшили ячейку памяти ST-MRAM до 11 нм

Отмечая двадцать лет с момента изобретения специалистами IBM Research магниторезистивной памяти, компания IBM рассказала о последнем достижении в этой области.

Специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), уменьшив ее ячейку до 11 нм. Изменение состояния ячейки выполняется всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составляет 7,5 мкА. О достижении рассказано в альманахе IEEE Magnetic Letters.

К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания

Ячейку MRAM можно представить как пару магнитов с изолирующим слоем между ними. Если полярность магнитов совпадает, считается, что в ячейке записан «0», в противном случае — «1». Один магнит имеет постоянную полярность, а направление намагниченности второго можно менять, записывая информацию.

К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND.

Источник: IBM [1]

Источник [2]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/153203

Ссылки в тексте:

[1] IBM: https://www.ibm.com/blogs/research/2016/07/ibm-celebrates-20-years-spin-torque-mram-scaling-11-nanometers/

[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/07/08/ibm-samsung-st-mram-11.html