- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

GLOBALFOUNDRIES планирует освоить нормы 14 нм в будущем году

Контрактный производитель полупроводниковых чипов GLOBALFOUNDRIES представил новую технологию, разработанную в расчете на растущий рынок мобильных устройств. Техпроцесс 14nm-XM, построенный на использовании объемных транзисторов FinFET, позволит выпускать высокопроизводительные микросхемы с малыми энергопотреблением.

В обозначении техпроцесса число указывает на нормы 14 нм, а символы XM позаимствованы из словосочетания «eXtreme Mobility». Применение объемных структур, оптимизированных для использования в однокристальных системах, как утверждается, позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств на 40-60% по сравнению с современными устройствами на 20-нанометровых микросхемах с планарными транзисторами.

В техпроцессе 14nm-XM новая архитектура транзистора FinFET будет объединена с элементами техпроцесса 20nm-LPM, осваиваемого сейчас в производстве. Такое сочетание поможет ускорить переход от LPM к новой технологии. Работы над 14nm-XM идут полным ходом на фабрике GLOBALFOUNDRIES Fab 8 в США. Заказчики уже имеют доступ к соответствующим средствам разработки. По оценке компании, первые образцы продукции будут подготовлены к выпуску в 2013 году.

В чем суть архитектуры FinFET? Коротко говоря, в обычном планарном транзисторе канал поворачивается на бок, начиная напоминать «плавник» (по-английски — fin), окруженный затвором для управления протеканием тока в нем. Ключевым преимуществом FinFET является очень малое энергопотребление, обуславливаемое низким рабочим напряжением и малыми токами утечки. Подробнее о FinFET и других интересных вещах рассказано в статье «Закон Мура против нанометров» [1]

Напомним, GLOBALFOUNDRIES является участником альянса Common Platform. О том, что Члены Common Platform сделали выбор в пользу транзисторов FinFET [2] при освоении норм 14, стало известно в марте этого года. Интересно, что тогда было сказано, что участники альянса Common Platform (наряду с GLOBALFOUNDRIES, в него входят IBM и Samsung Electronics) планируют приступить к выпуску 14-нанометровой продукции в 2014-2015 годах. Таким образом, освоение новых технологий ускорилось.

Напомним, подобную разработку [3] уже использует в своих 22-нанометровых процессорах Ivy Bridge компания Intel, недавно тоже пообещавшая освоить нормы 14 нм [4] в 2013 году.

Источник: GLOBALFOUNDRIES [5]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/15564

Ссылки в тексте:

[1] «Закон Мура против нанометров»: http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml

[2] Члены Common Platform сделали выбор в пользу транзисторов FinFET: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?15/61/56

[3] подобную разработку: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?14/61/76

[4] тоже пообещавшая освоить нормы 14 нм: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/11/82

[5] GLOBALFOUNDRIES: http://www.globalfoundries.com/newsroom/2012/20120920.aspx