- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Средний объем оперативной памяти смартфона за год вырастет на 50%

Аналитическая компания IHS iSuppli, поделившаяся мнением относительно будущего рынка датчиков движения [1], одновременно опубликовала анализ ситуации с оперативной памятью в смартфонах.

По оценке специалистов IHS iSuppli, средний объем памяти типа DRAM в расчете на один смартфон в этом году увеличится на 50% по сравнению с прошлым годом. В 2010 году средний объем составлял 202 МБ, в 2011 — 453 МБ, а в текущем он достигнет 666 МБ. Аналитики объясняют это ростом разрешения экранов, расширением функций и увеличением производительности аппаратов.

В связи с ростом объема памяти изменяется и распределение долей рынка по используемым микросхемами. Так, в этом году микросхемы плотностью 4 Гбит составят примерно 37% поставок DRAM для смартфонов, плотностью 8 Гбит — 36%.

В будущем году ситуация изменится: микросхемы плотностью 8 Гбит станут более востребованными и займут 46% рынка, а доля микросхем плотностью 4 Гбит сократится до 28%.

Средний объем оперативной памяти смартфона за год вырастет на 50%

Со временем на позицию лидера выйдут микросхемы плотностью 16 Гбит, занимающие в этом году всего 2% рынка. Уже в будущем году они составят 15% общего объема поставок, а к 2015 году займут 56% рынка.

Источник: IHS iSuppli [2]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/16148

Ссылки в тексте:

[1] будущего рынка датчиков движения: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/15/51

[2] IHS iSuppli: http://www.isuppli.com/Memory-and-Storage/News/Pages/DRAM-Content-Rises-and-Becomes-More-Uniform-in-Smartphones.aspx