- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Everspin Technologies, в 2012 году выпустившая первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения [1], анонсировала начало поставок первых в отрасли микросхем ST-MRAM плотностью 256 Мбит.
Магниторезистивная память ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM) характеризуется высоким быстродействием и долговечностью, а также способностью хранить информацию в отсутствие питания. По скорости записи ST-MRAM превосходит флэш-память NAND более чем в 100 000 раз. В отличие от флэш-памяти, в ST-MRAM нет необходимости в распределении нагрузки, поскольку износ при записи практически отсутствует.
Микросхемы плотностью 256 Мбит Everspin относит к третьему поколению ST-MRAM, отмечая, что поддержка DDR3 упрощает их использование в твердотельных накопителях [2] и контроллерах RAID. Производитель уже разрабатывает микросхемы ST-MRAM плотностью 1 Гбит с интерфейсом DDR4. Производственным партнером Everspin выступает компания Globalfoundries.
Источник: Everspin Technologies [3]
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/167002
Ссылки в тексте:
[1] первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/28/89
[2] использование в твердотельных накопителях: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/39/96
[3] Everspin Technologies: http://www.everspin.com/file/1093/download
[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/08/04/everspin-st-mram-256-globalfoundries.html
Нажмите здесь для печати.