G.Skill представила модули памяти DDR4-3333 со сниженными задержками

Компания G.Skill представила на IDF 2016 новые комплекты памяти DDR4-3333, заточенные на работу с платформой Intel Broadwell-E. Хотя модули с такой частотой присутствуют в ассортименте G.Skill уже два года ^[1], в этот раз компания уделила внимание другим характеристикам: объему и задержкам.

Не секрет, что задержи ОЗУ с каждым новым поколением памяти необратимо растут: десять лет назад отличным значением считалось 2-2-2-5 ^[2], теперь оно составляет 13-13-13-33 у комплекта Trident Z DDR4-3333 объемом 64 ГБ, набранном восемью планками. Пару лет назад модули такой частоты демонстрировали задержки 16-16-16-36, так что прогресс в этой области имеется.

Также представлены обновления в семействах модулей G.Skill Trident Z и Ripjaws (типоразмера SO-DIMM). В первом случае объем комплекта достиг 128 ГБ, он также набран восемью планками, а тайминги чуть возросли до 14-14-14-34. Во втором случае суммарный объем 32 ГБ потребовал всего две планки, а задержки составили 16-18-18-43. Все новинки базируются на микросхемах ОЗУ Samsung и работают при напряжении 1,35 В.

Источник:
G.Skill ^[3]

Источник ^[4]