- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания G.Skill представила на IDF 2016 новые комплекты памяти DDR4-3333, заточенные на работу с платформой Intel Broadwell-E. Хотя модули с такой частотой присутствуют в ассортименте G.Skill уже два года [1], в этот раз компания уделила внимание другим характеристикам: объему и задержкам.
Не секрет, что задержи ОЗУ с каждым новым поколением памяти необратимо растут: десять лет назад отличным значением считалось 2-2-2-5 [2], теперь оно составляет 13-13-13-33 у комплекта Trident Z DDR4-3333 объемом 64 ГБ, набранном восемью планками. Пару лет назад модули такой частоты демонстрировали задержки 16-16-16-36, так что прогресс в этой области имеется.
Также представлены обновления в семействах модулей G.Skill Trident Z и Ripjaws (типоразмера SO-DIMM). В первом случае объем комплекта достиг 128 ГБ, он также набран восемью планками, а тайминги чуть возросли до 14-14-14-34. Во втором случае суммарный объем 32 ГБ потребовал всего две планки, а задержки составили 16-18-18-43. Все новинки базируются на микросхемах ОЗУ Samsung и работают при напряжении 1,35 В.
Источник:
G.Skill [3]
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/176662
Ссылки в тексте:
[1] уже два года: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/23/77
[2] считалось 2-2-2-5: http://www.ixbt.com/mainboard/memdb-corsair-ddr-3500ll.shtml
[3] G.Skill: http://www.gskill.com/en/press/view/g-skill-demos-ddr4-3333mhz-cl14-128gb-and-ddr4-3333mhz-cl13-64gb-memory-at-idf-2016-featuring-high-performance-samsung-ics
[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/08/21/g-skill-ddr4-3333.html
Нажмите здесь для печати.