Основным для ведущих производителей DRAM в будущем году станет 20-нанометровый техпроцесс

Компании Samsung Electronics и SK Hynix начали переход на 20-нанометровый техпроцесс, который, как ожидается, станет основным для памяти DRAM в будущем году. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники.

Указанные компании, являющиеся ведущими производителями DRAM, уже начали выпуск этой продукции по 20-нанометровой технологии. Отраслевые источники уверены, что 20-нанометровый техпроцесс станет основным во второй половине будущего года, сменив в этом качестве используемый сейчас 30-нанометровый техпроцесс.

Тем временем Samsung и Hynix постепенно смещают центр тяжести с выпуска памяти DRAM для персональных компьютеров. Причиной является сохраняющаяся ситуация перепроизводства, которую усугубляет снижение спроса на ПК. Поэтому по 20-нанометровой технологии первое время будут выпускаться чипы плотностью 4 Гбит, предназначенные для мобильных устройств и серверов. Таким образом, подтвердилось опубликованное на днях сообщение о том, что Samsung планирует использовать передовые техпроцессы ^[1] в первую очередь для выпуска мобильной памяти.

Что касается других участников отрасли, таких, как Micron Technology, Nanya Technology и Inotera Memories, они готовятся к переходу на 30-нанометровую технологию и тоже наращивают усилия в сегментах мобильной и серверной памяти.

Как мы уже сообщали, в сентябре специалисты IHS iSuppli обнаружили, что впервые на долю ПК пришлось меньше половины ^[2] всей выпущенной памяти DRAM. Аналитики полагают, что перераспределение памяти типа DRAM между потребителями свидетельствует о закате эры персональных компьютеров.

Источник: DigiTimes ^[3]