X-FAB и Anvo-Systems Dresden объединили усилия в выпуске энергонезависимой памяти nvSRAM

Объединить технологии памяти SRAM, DRAM и SONOS в одних изделиях намерены копании X-FAB Silicon Foundries и Anvo-Systems Dresden. Первая из них специализируется на контрактном производстве микросхем памяти, а вторая является специалистом в области проектирования энергонезависимой памяти, Результатом сотрудничества, должны стать микросхемы высокоскоростной энергонезависимой памяти nvSRAM. По словам партнеров, они будут предназначены для приложений, в которых востребована высокая надежность и защита данных. В числе областей применения названо медицинское, коммуникационное, автомобильное оборудование, промышленные системы метрологии и управления.

Память nvSRAM, предложенная Anvo-Systems Dresden, превосходит традиционно применяемую флэш-память и память типа EEPROM по стоимости и энергопотреблению. В них объединены особенности, типичные для памяти типа SRAM, и высоконадежная энергонезависимая память SONOS ^[1]. Ячейки nvSRAM выдерживают неограниченное количество циклов перезаписи, характеризуются временем доступа 20 нс в режиме чтения и записи, и доступны по стандартному интерфейсу SRAM. Еще одним достоинством является малая площадь кристалла. Уточним, что эта память не может заменить привычную флэш-память в приложениях массовой памяти, поскольку типичный объем микросхем nvSRAM — сотни килобайт.

Выпуском nvSRAM по нормам 0,18 мкм будет заниматься X-FAB с использованием специально оптимизированного техпроцесса и 200-миллиметровых пластин.

Источник: X-FAB ^[2]