- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Everspin Technologies, образованная в 2008 году компанией Freescale Semiconductor [1] и несколькими венчурными инвесторами, объявила о выпуске первых микросхем магниторезистивной памяти ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM). Эта память характеризуется высоким быстродействием и долговечностью. Как утверждается, память ST-MRAM «преобразует архитектуру систем хранения».
К достоинствам ST-MRAM относится высокая энергетическая эффективность и способность хранить информацию в отсутствие питания. Предполагается, что на первом этапе ST-MRAM дополнит флэш-память в твердотельных накопителях.
Семейство микросхем новой памяти отрыла модель плотностью 64 Мбит. В перспективе производитель рассчитывает выпустить добраться до «гигабитной плотности» и повысить скорость памяти. Ознакомительные образцы микросхем Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM уже поступают заказчикам. Они выполнены в стандартных корпусах WBGA. В будущем году компания рассчитывает сделать микросхемы ST-MRAM широкодоступными.
Источник: Everspin [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/20021
Ссылки в тексте:
[1] образованная в 2008 году компанией Freescale Semiconductor: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?10/61/68
[2] Everspin: http://www.everspin.com/PDF/ST-MRAM_Press_Release.pdf
Нажмите здесь для печати.