Samsung выпускает первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ. Они предназначены для мобильных устройств. В корпусе такой микросхемы находятся четыре кристалла плотностью 16 Гбит, которые выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса.

Новые микросхемы поддерживают скорость передачи данных 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что вдвое выше скорости микросхем DDR4-2133, используемых в модулях памяти для ПК. Если новые микросхемы подключить к 64-разрядной шине, можно за одну секунду передать 34 ГБ данных.

По словам производителя, использование фирменной схемы с низким энергопотреблением позволило удвоить объем памяти по сравнению с микросхемой на кристаллах 20-нанометрового класса, сохранив потребляемую мощность примерно на том же уровне. Размеры новой микросхемы — 15 х 15 х 1 мм. Ее можно компоновать стопкой с другой памятью и однокристальными системами.

Источник: Samsung Electronics ^[1]

Источник ^[2]