Fujitsu выпускает память FRAM для автомобильной электроники

Компания Fujitus представила микросхему энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (FRAM), получившую обозначение MB85RS256TY. Ключевой особенностью изделия плотностью 256 Кбит является сохранение работоспособности при температуре от -40 °C о до 125 °С. Даже при постоянной температуре 85 °C содержимое памяти гарантированно сохраняется в течение десяти лет. Это позволяет использовать MB85RS256TY в автомобильной электронике.

К достоинствам памяти FRAM относится высокая скорость доступа и большое число циклов перезаписи (10¹³). Области ее применения включают приложения мониторинга и анализа данных в автомобилях. Память MB85RS256TY оснащена интерфейсом SPI и работает при напряжении питания 1,8-3,6 В. Ее сертификацию на соответствие требованиям AEC-Q100, предъявляемым к элементной базе автомобильной электроники, производитель рассчитывает завершить к июлю 2017 года.

Источник: Fujitsu ^[1]

Источник ^[2]