Завтра Intel покажет журналистам SSD Optane на основе памяти 3D XPoint, однако, судя по всему, чуда в итоге не произойдёт

в 4:00, , рубрики: Новости, метки:

Ещё летом 2015 года Intel и Micron показали совершенно новый тип энергонезависимой памяти, которая значительно быстрее обычной памяти NAND. На основе памяти 3D XPoint нам пообещали твердотельные накопители, которые, соответственно, будут значительно быстрее классических моделей.

Это подтвердила демонстрация Intel, которую провели ещё год назад. С тех пор каких-то новых подробностей о данных SSD не было. И вот источник сообщает, что Intel наконец-то готова раскрыть завесу тайны над новыми устройствами. 15 марта во время мероприятия процессорный гигант расскажет журналистам о памяти 3D XPoint и SSD Optane.

Intel готова показать SSD Optane

Однако тут есть немало интересных нюансов. Во-первых, по мнению источника, на мероприятие пригласят только «проверенных» журналистов, которые по тем или иным причинам не смогут или не захотят задавать Intel неудобные вопросы. А таких вопросов, как считает источник, крайне много. В целом ресурс SemiAccurate считает, что у Intel есть огромные проблемы с доводкой памяти 3D XPoint и, соответственно, с накопителями на её основе. Суть сводится к тому, что параметры памяти далеки от тех, которые нам обещали изначально.

Эти проблемы якобы и являются причиной того, что мы пока не видим готовых продуктов в продаже и пока даже не знаем, когда же Intel собирается их выпустить.

Что касается мероприятия, Intel готовит к показу два SSD. Один выполнен в формате M.2 и предназначен для потребительского сегмента, а модель DC P4800X нацелена на облачные хранилища данных. Подтверждая обвинения, источник говорит, что заявленный ресурс DC P4800X в 3-6 раз выше, чем у накопителей Intel, основанных на обычной флэш-памяти. С одной стороны, это немало. С другой, изначально нам обещали превосходство на три порядка! К этому добавляются и проблемы с производительностью в определённых режимах.

Источник:
SemiAccurate

Источник

Поделиться

* - обязательные к заполнению поля