Samsung показала накопитель Z-SSD на памяти Z-NAND с производительностью до 750 000 IOPS

Первое и единственное упоминание твердотельных накопителей Z-SSD на основе новой флэш-памяти Z-NAND датируется ещё летом прошлого года ^[1]. И вот компания Samsung наконец-то показала такие устройства, заодно раскрыв кое-какие параметры.

Демонстрационный образец MZ-PJB8000 с интерфейсом PCIe характеризовался объёмом 800 ГБ, скоростями чтения и записи на уровне 3,2 ГБ/с и производительностью чтения и записи 750 000 и 160 000 IOPS соответственно!

Задержка, предположительно, будет на 70% ниже, чем у актуальных SSD с поддержкой NVMe. Что касается выносливости, этих данных Samsung пока не приводит.

Для начала на рынке должны появиться модели объёмом 1, 2 и 4 ТБ. Они будут выпущены под брендом Z-SSD. Сроки появления устройств в продаже пока не объявлены.

Источник:
AnandTech ^[2]

Источник ^[3]