- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
По сообщению источника, компания Samsung Electronics намерена инвестировать 2,64 млрд долларов в увеличение выпуска памяти типа DRAM. Средства будут направлены на расширение предприятия Line 17 в корейском городе Хвасон.
Во второй половине года на фабрике Line 17 должен начаться выпуск 10-нанометровой памяти DRAM. Предприятие выпускает не только DRAM, но и флэш-память 3D NAND. Кроме того, в планах производителя значится освоение на этой фабрике выпуска логических микросхем.
В будущем запланирована постройка новой фабрики рядом с Line 17. Вероятнее всего, она будет выпускать логические БИС по нормам 7 нм.
Источник: CDR info [1]
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/254324
Ссылки в тексте:
[1] CDR info: http://cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=52493
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2017/05/03/samsung-2-64-dram.html
Нажмите здесь для печати.