SK Hynix и Micron пытаются догнать Samsung в технологиях производства DRAM

Компании SK Hynix и Micron, занимающие соответственно второе и третье места в мировом рейтинге производителей микросхем памяти DRAM, пытаются догнать в технологическом отношении компанию Samsung. Они планируют вслед за южнокорейским производителем освоить выпуск микросхем памяти DRAM 10-нанометрового класса.

Компания SK Hynix, работая над увеличением процента выхода годной продукции по нормам 21 нм, одновременно готовит к серийному производству 18-нанометровый техпроцесс. Во втором полугодии должен начаться выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM для компьютеров, а позже — и для мобильных устройств.

Компания Micron, начавшая выпуск 18-нанометровых микросхем DRAM в прошлом квартале, намерена в течение ближайших двух-трех лет инвестировать 2 млрд долларов в исследования, направленные на разработку 13-нанометрового техпроцесса для выпуска памяти DRAM. Определенные шаги, включая расширение «чистой комнаты» на японском предприятии и закупку передового оборудования, уже сделаны. По имеющимся оценкам, переход с норм 18 нм на нормы 13 нм повысит производительность линий более чем на 20%.

Что касается компании Samsung Electronics, она начала выпуск 18-нанометровой памяти DRAM ^[1] еще в марте прошлого года. Во второй половине текущего года Samsung собирается начать серийный выпуск 15-нанометровой памяти DRAM. По словам источника, Samsung опережает конкурентов на один-два года.

Источник: CDRinfo ^[2]

Источник ^[3]