В Samsung Galaxy S9 будут использоваться 7- и 8-нанометровые SoC

В смартфоне Samsung Galaxy S8 применяются однокристальные системы Qualcomm Snapdragon 835 и Samsung Exynos 8895, которые производятся с использованием 10-нанометрового технологического процесса. Версия с Exynos 8895, в оснвном, продается в Южной Корее.

По новым данным, в Samsung Galaxy S9 будут использоваться 7- и 8-нанометровые SoC. Речь идет о том, что новая SoC Exynos будет производиться с использованием 8-нанометрового технологического процесса, а Qualcomm планирует производить новую SoC по нормам 7 нм. Данный техпроцесс считается более энергоэффективным и экономичным в целом.

Источник добавляет, что, подписав с Samsung контракт на производство Snapdragon 835, Qualcomm одобрила желание корейской компании задействовать не менее половины произведенного товара для Samsung Galaxy S8. В результате на рынке наблюдается дефицит Snapdragon 835.

Как мы уже сообщали, компания Samsung Electronics не смогла получить заказы Qualcomm на выпуск микросхем по нормам 7 нм. Они достались компании TSMC. Но Samsung все равно планирует использовать в Samsung Galaxy S9 как SoC Exynos собственного производства, так и новую мобильную платформу Snapdragon, если она будет соответствовать ожиданиям.

Источник ^[1]