Специалисты Sony разработали ключевые технологии для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.

В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.

Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения.

Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.

По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.

Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.

Источник: Nikkei BP ^[1]

Источник ^[2]