Samsung ускоряет разработку 6-нанометрового техпроцесса

По сообщению источника, опирающегося на сообщения южнокорейских СМИ, компания Samsung Electronics пересматривает график освоения технологий полупроводникового производства с целью приблизить начало выпуска продукции по нормам 6 нм. Как утверждается, теперь Samsung рассчитывает начать серийный выпуск 6-нанометровых микросхем во втором полугодии 2019 года. Ранее на 2019 год был запланирован только пробный выпуск.

Причиной, побуждающей Samsung ускориться, названо отставание от компании TSMC, которая разрабатывает 7-нанометровый техпроцесс. Предложив 6-нанометровую альтернативу, Samsung сможет побороться с TSMC за заказы Qualcomm и Apple. Месяц назад появилась информация, что Qualcomm будет заказывать 7-нанометровые SoC не у Samsung, а у TSMC ^[1]. К выпуску серийной продукции по нормам 7 нм в TSMC рассчитывают приступить в начале 2018 года ^[2].

Отметим, что на данном этапе TSMC использует иммерсионную литографию, но ведет разработки улучшенной версии 7-нанометрового техпроцесса с использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Эта версия должна быть готова к серийному производству в 2019 году.

Компания Samsung тоже делает ставку на EUV. До конца года южнокорейский производитель рассчитывает установить две машины ASML, предназначенные для EUV-литографии, а в будущем году — еще семь. Это оборудование позволяет освоить нормы 7, 6 и 5 нм.

Отметим, что, вероятнее всего, речь идет о сканерах ASML 3400B ^[3], поставки которых начались весной. Это первый EUV-сканер ASML, подходящий для серийного производства, поскольку его проектная производительность составляет 125 пластин в час. Первые экземпляры обеспечивали обработку 104 пластин в час, поскольку в них установлен источник излучения мощностью 148 Вт. Для производительности 125 пластин в час необходима мощность 250 Вт — источник такой мощности ASML показала на прошлой неделе ^[4].

Источник: Digitimes ^[5]

Источник ^[6]