Micron Technology и TE Connectivity смогли на треть уменьшить толщину модулей DDR3 SODIMM

в 5:00, , рубрики: Новости, метки:

Компания Micron Technology, одной из областей специализации которой являются модули памяти, и компания TE Connectivity, занимающаяся разъемами, объявили о выпуске односторонних модулей памяти Single-Sided SODIMM DDR3 и низкопрофильного разъема для них. Эти модули и разъемы ориентированы на использование в ультрабуках, трансформируемых мобильных компьютерах, планшетах и «других тонких и легких устройствах».

Особенностью модулей, отраженной в их названии, является размещение всех компонентов исключительно на одной стороне печатной платы. Если установить такой модуль в специальный низкопрофильный разъем DDR3 SODIMM, можно получить суммарную толщину всего 3 мм (над уровнем основной платы), что на 35% меньше толщины 4,6 мм, достижимой при использовании стандартных модулей и разъемов SODIMM.

Специалисты Micron Technology и TE Connectivity смогли на треть уменьшить толщину модулей DDR3 SODIMM

Модули Single-Sided SODIMM доступны объемом 4 ГБ в одноранговой конфигурации x8. В них используется представленная осенью прошлого года память DDR3L-RS с пониженным энергопотреблением, выпускаемая по 30-нанометровой технологии.

По расположению и назначению выводов модули Single-Sided SODIMMs полностью совместимы с обычными, так что их можно устанавливать в существующие разъемы DDR3 SODIMM.

Ознакомительные образцы модулей и разъемов уже доступны. Серийный выпуск первых Micron обещает начать этой весной, TE Connectivity планирует приступить к серийному выпуску разъемов в июне.

Источник: Micron Technology

Поделиться

* - обязательные к заполнению поля