- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Toshiba объявила о создании встраиваемой памяти типа SRAM, характеризующейся сверхнизким энергопотреблением. По данным производителя, тестирование прототипа показало, что потребляемая мощность в активном режиме снизилась на 27%, в режиме ожидания — на 85% по сравнению с существующими образцами. Ожидается, что эта память найдет применение в больших интегральных схемах для смартфонов и других мобильных устройств.
Снизить потребляемую мощность удалось с помощью специальных цепей, контролирующих нагрузку на линиях данных. При малой нагрузке чип остается холодным и потребление в активном режиме сопоставимо с потреблением в режиме ожидания. Когда нагрузка возрастает (данные передаются более активно), температура чипа повышается, что приводит к возрастанию токов утечки и повышению энергопотребления. Ограничивая при повышении нагрузки в активном режиме питание определенных участков схемы, можно обеспечить значительное снижение энергопотребления. Другое усовершенствование схемы позволило снизить энергопотребление в режиме ожидания.
Когда разработку можно будет встретить в коммерческих продуктах, производитель не сообщает.
Источник: Toshiba [1]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/27841
Ссылки в тексте:
[1] Toshiba: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/event/news/topics_130222_e_1.html
Нажмите здесь для печати.