- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем LPDDR4X DRAM, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса и предназначенных для автомобилей.
Производитель отмечает, что новая память демонстрирует высокую производительность и энергетическую эффективность, сохраняя работоспособность в экстремальных условиях, которые свойственны указанной области применения. В частности, в диапазоне температур от -40°C до 125°C, соответствуя требованиям Automotive Grade 1.
Интерфейс LPDDR4X является самым быстрым в случае «автомобильной» памяти. Новая память Samsung характеризуется пропускной способностью 4266 Мбит/с, что на 14% превосходит показатель памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, выпускаемой по 20-нанометровой технологии. Превосходство новой памяти по энергетической эффективности достигает 30%.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/278748
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2018/3/3/Samsung-LPDDR4X-DRAM-for-Automobiles-3_large.jpg
[2] Источник: https://www.ixbt.com/news/2018/04/25/samsung-lpddr4x-dram-10.html
Нажмите здесь для печати.