- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Samsung начинает серийный выпуск флэш-памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров

Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке полупроводниковой памяти, объявила о начале массового выпуска микросхем флэш-памяти V-NAND пятого поколения. Это первые в отрасли микросхемы флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR 4. Он позволяет получить скорость передачи данных 1,4 Гбит/с, что на 40% выше показателя интерфейса, которым оснащены 64-слойные микросхемы предыдущего поколения.

Samsung начинает серийный выпуск флэш-памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров

Новые микросхемы имеют более 90 слоев. При этом по энергетической эффективности они не уступают 64-слойным, поскольку рабочее напряжение понижено с 1,8 В до 1,2 В. Совершенствуя технологию, высоту каждого слоя удалось уменьшить на 20%, увеличивая быстродействие при сохранении низкого уровня перекрестных помех. Время реакции в режиме чтения составляет 50 мкс, в режиме записи — 500 мкс, что является рекордным значением, на 30% лучшим по сравнению с показателем микросхем предыдущего поколения. Каждая ячейка V-NAND может хранить три бита.

По словам производителя, он планирует быстро наращивать объемы выпуска, поскольку новая память V-NAND предназначен для широкого спектра приложений — от смартфонов до суперкомпьютеров.

Источник [1]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/285595

Ссылки в тексте:

[1] Источник: https://www.ixbt.com/news/2018/07/10/samsung-v-nand.html