GlobalFoundries показала возможности объемной компоновки 20-нанометровых чипов с межслойными соединениями

Технология объемной компоновки микросхем, как и предвещали аналитики ^[1], из датчиков изображения и микросхем памяти прокладывает себе дорогу к более широкому применению.

Компания GlobalFoundries объявила о важном достижении на этом пути, ведущем к использованию объемной компоновки в логических микросхемах для мобильных устройств и бытовой электроники. На предприятии Fab 8 в штате Нью-Йорк этот контрактный производитель полупроводниковой продукции продемонстрировал первые работоспособные изделия, изготовленные по нормам 20 нм с использованием технологии межслойных соединений (Through-Silicon Via, TSV). Технология TSV позволяет размещать несколько чипов один поверх другого, связывая их проводниками, сформированными подобно переходным отверстиям в многослойной печатной плате.

При всей своей привлекательности, технология TSV ставит перед производителями новые проблемы. GlobalFoundries использует для интеграции TSV подход, получивший название via-middle, при котором соединительные проводники добавляются после изготовления чипов, перед началом их тестирования и упаковки. Так удается избежать высоких температур, свойственных этапу изготовления чипов, что позволяет использовать в межслойных соединениях медь. Кроме того, при переходе от норм 28 нм к нормам 20 нм специалистам GlobalFoundries пришлось разработать специальный механизм защиты контактов.

Источник: GlobalFoundries ^[2]