- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
По оценке компании Intel, уже в 2014 году DDR4 станет основным типом памяти DRAM, а к 2015 году эта память практически полностью вытеснит используемую сейчас память DDR3.
Кроме того, в Intel уверены, что доля памяти DRAM для мобильных устройств в ближайшие годы продолжит расти (в терминах объема) вследствие растущего спроса на планшеты и смартфоны.
Производители начнут предлагать ознакомительные образцы модулей DDR4 уже в этом году. По данным Intel, DDR4 потребляет на 35% меньше энергии, чем DDR3L, а по пропускной способности превосходит память предыдущего поколения на 50%.
Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит/с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ/c (в случае максимальной эффективной частоты 4266 МГц, определенной спецификациями). Кроме того, повышена надежность работы за счет введения механизма контроля четности на шинах адреса и команд.
По прогнозу IHS iSuppli, доля DDR4 на рынке DRAM в 2014 составит 23%, в 2015 — 45%.
Организация JEDEC завершила разработку спецификаций DDR4 [1] в сентябре прошлого года. Ожидается, что спецификации варианта LPDDR4 для мобильных устройств будут готовы к концу текущего года.
Источник: Cdrinfo.com [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/32022
Ссылки в тексте:
[1] Организация JEDEC завершила разработку спецификаций DDR4: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/14/84
[2] Cdrinfo.com: http://www.cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=36381
Нажмите здесь для печати.