Samsung начинает выпуск чипов памяти LPDDR3 плотностью 4 ГБит по нормам 20-нанометрового класса

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска по нормам 20-нанометрового класса чипов оперативной памяти LPDDR3 плотностью 4 Гбит, предназначенных для мобильных устройств.

По словам производителя, новая мобильная память по производительности сопоставима с памятью, используемой в персональных компьютерах. Это делает ее привлекательной для использования в высокопроизводительных смартфонах и планшетах.

Новая память поддерживает скорость передачи 2133 Мбит/с в расчете на один вывод, что более чем вдвое превосходит типичный показатель микросхем LPDDR2, равный 800 Мбит/с. По оценке Samsung, такой пропускной способности достаточно для воспроизведения видео высокой четкости на экранах «размером пять дюймов и более». Память LPDDR3, выпускаемую по нормам 30-нанометрового класса, новая память превосходит по производительности на 30%, потребляя на 20% меньше электроэнергии.

Компонуя новые чипы Samsung по четыре в одном корпусе, можно получить микросхемы объемом 2 ГБ, высота которых равна 0,8 мм.

Источник: Samsung Electronics ^[1]