Каждая ячейка 45-нанометровой флэш-памяти Samsung eFlash гарантированно выдерживает миллион циклов перезаписи

На днях мы рассказывали о встраиваемой энергонезависимой памяти LogicFlash, рассчитанной на выпуск по обычному техпроцессу CMOS, которую разработали специалисты компании Chip Memory Technology. В активе компании Samsung Electronics есть подобная разработка. В отличие от памяти LogicFlash, рассчитанной на выпуск по нормам 130 нм, память eFlash, созданная специалистами Samsumg, рассчитана на выпуск по нормам 45 нм. При этом используется обычный техпроцесс, применяемый при выпуске логических микросхем.

Компания Samsung уже успешно опробовала свою разработку в тестовых чипах для смарт-карт, подтвердив готовность технологии к коммерческому использованию.

Каждая ячейка памяти тестовой микросхемы гарантированно выдерживает миллион циклов перезаписи. Это лучший показатель в классе, вдвое превосходящий показатель лучшего из конкурирующих решений.

Кроме того, усовершенствовав структуру ячейки и схему ее работы, разработчики смогли сократить время произвольного доступа, так что на операциях чтения новая память оказывается на 50% быстрее памяти eFlash, выпускаемой по нормам 80 нм. Переход к новым технологическим нормам также позволил на 25% повысить энергетическую эффективность.

Областями применения новой памяти названы компоненты средств обеспечения безопасного доступа и мобильных устройств, включая микросхемы смарт-карт, NFC, eSE (embedded secure element) и TPM (Trusted platform module).

Источник: Samsung