- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Crossbar сообщила о том, что ею создан рабочий массив резистивной памяти (RRAM) на обычной коммерческой фабрике. Это показатель того, что до массового производства (в теории) осталось недолго. Если учесть, что первые образцы [1] подобной памяти были получены ещё в 2006 году, а к 2010 году на тот момент планировалось получение коммерческих образцов, нынешнее достижение Crossbar является достаточно значимым.
Напомним, что резистивная память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением. Кроме этого, за счёт меньшего количество проблем с переходом на более тонкие техпроцессы (по сравнению с памятью NAND), RRAM пророчат в качестве замены современной флэш-памяти.
Возвращаясь к Crossbar, компания заявляет, что её разработка позволит создавать память объёмом 1 ТБ при площади микросхемы 200 мм2. Кроме этого, благодаря возможности «трёхмерной» архитектуры, можно создавать микросхемы объёмом несколько ТБ. Разработчик утверждает, что его память превосходит лучшие современные образы NAND по скорости записи в 20 раз, по уровню энергопотребления в 20 раз и имеет на порядок больший срок службы.
Источник: Crossbar [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/40327
Ссылки в тексте:
[1] первые образцы: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?06/00/86
[2] Crossbar: http://www.crossbar-inc.com/events/press-releases/crossbar-emerges-from-stealth-mode.html
Нажмите здесь для печати.