В ближайшие годы отрасль стремительно перейдет на выпуск объемной флэш-памяти NAND

Технология, используемая при выпуске микросхем флэш-памяти, вплотную подошла к пределу, за которым дальнейшее уменьшение норм оказывается невозможным. Аналитики iSuppli полагают, что отрасль найдет выход в переходе на выпуск памяти с объемной компоновкой. Применение этой технологии позволит и дальше наращивать плотность хранения, следуя потребности рынка в увеличении информационной емкости флэш-памяти при сохранении ее физических размеров.

В этом году доля флэш-памяти NAND, в которой используется технология объемной компоновки, не превысит 1%. Однако уже в следующем она достигнет 5,2%, а в 2015 году — 30,2%, полагают аналитики. Бурный рост продолжится в последующие годы. Так, в 2016 году доля флэш-памяти NAND с объемной компоновкой сравняется с долей обычной флэш-памяти, составив 49,8 %. К 2017 году уже почти две трети флэш-памяти NAND — точнее говоря, 65,2% — будет выпускаться по технологии объемной компоновки. Прогноз iSuppli наглядно показан на графике.

Основным двигателем спроса на флэш-память типа NAND, стимулирующим развитие технологий, аналитики называют мобильные электронные устройства.

Серийный выпуск флэш-памяти NAND с объемной компоновкой первой начала компания Samsung ^[1] — лидер на рынке флэш-памяти. Эта память уже используется в твердотельных накопителях Samsung V-NAND SSD ^[2], выпуск которых начался в августе. Другой крупный участник рынка, Toshiba, обещает приступить к серийному выпуску 3D NAND в первой половине 2014 года ^[3].

Источник: iSuppli ^[4]

Источник ^[5]