- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
По сообщению компании SK Hynix, ей первой удалось создать модуль памяти объемом 128 ГБ, в котором используются компоненты DDR4 плотностью 8 Гбит, изготовленные по технологии 20-нанометрового класса.
Удвоить объем по сравнению с выпущенными ранее модулями объемом 64 ГБ удалось за счет применения в микросхемах памяти технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV).
Модуль работает со скоростью 2133 Мбит/с (в расчете на один разряд шины данных). Учитывая, что шина данных является 64-разрядной, несложно подсчитать, что пропускная способность модуля достигает 17 ГБ/с. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,2 В.
К серийному выпуску модулей производитель намерен приступить в первой половине будущего года.
Источник: SK Hynix [1]
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/58617
Ссылки в тексте:
[1] SK Hynix: http://www.skhynix.com/en/pr_room/news-data-view.jsp?search.seq=2329&search.gubun=0014
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/83/53
Нажмите здесь для печати.