- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Samsung приступила к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти для мобильных устройств DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гбит

Компания Samsung объявила о начале серийного выпуска с использованием 20-нанометровой технологии микросхем памяти для мобильных устройств DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гбит.

Новая память поддерживает скорость передачи данных 2133 Мбит/с в расчете на один вывод. Чипы можно упаковывать по четыре штуки в общем корпусе, получая микросхемы объемом 3 ГБ.

Новая память поддерживает скорость передачи данных 2133 Мбит/с в расчете на один вывод

Такие микросхемы получаются на 20% меньше по размеру и потребляют примерно на 10% меньше электроэнергии, чем существующие микросхемы LPDDR3 объемом 3 ГБ, в которых используются компоненты, изготовленные Samsung по технологии предыдущего поколения.

Напомним, сначала южнокорейский производитель освоил выпуск по 20-нанометровой технологии памяти DDR3 для ПК. В марте этого года стало известно, что компания Samsung приступила к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит [1]. В перспективе Samsung рассчитывает освоить выпуск по этой технологии еще более совершенных микросхем мобильной памяти.

Источник: Samsung [2]

Источник [3]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/69923

Ссылки в тексте:

[1] Samsung приступила к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/75/28

[2] Samsung: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13684

[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/28/47