- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung объявила о начале серийного выпуска с использованием 20-нанометровой технологии микросхем памяти для мобильных устройств DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гбит.
Новая память поддерживает скорость передачи данных 2133 Мбит/с в расчете на один вывод. Чипы можно упаковывать по четыре штуки в общем корпусе, получая микросхемы объемом 3 ГБ.
Такие микросхемы получаются на 20% меньше по размеру и потребляют примерно на 10% меньше электроэнергии, чем существующие микросхемы LPDDR3 объемом 3 ГБ, в которых используются компоненты, изготовленные Samsung по технологии предыдущего поколения.
Напомним, сначала южнокорейский производитель освоил выпуск по 20-нанометровой технологии памяти DDR3 для ПК. В марте этого года стало известно, что компания Samsung приступила к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит [1]. В перспективе Samsung рассчитывает освоить выпуск по этой технологии еще более совершенных микросхем мобильной памяти.
Источник: Samsung [2]
Источник [3]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/69923
Ссылки в тексте:
[1] Samsung приступила к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/75/28
[2] Samsung: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13684
[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/28/47
Нажмите здесь для печати.