NXP и Globalfoundries разработали 40-нанометровую встраиваемую энергонезависимую память

в 10:32, , рубрики: Новости, метки:

Компании Globalfoundries и NXP Semiconductor объявили о совместной разработке встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM), рассчитанной на выпуск с использованием 40-нанометровой технологической платформы Globalfoundries.

Указанная память используется в разнообразных изделиях, включая микроконтроллеры, микросхемы для смарт-карт и NFC. По словам партнеров, успешные совместные усилия позволили ускорить выпуск микросхем с памятью eNVM.

Серийный выпуск eNVM должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре

Серийный выпуск продукции должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре, рассчитанных на обработку 50 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.

Источник: GlobalFoundries

Источник

* - обязательные к заполнению поля


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js