- PVSM.RU - http://www.pvsm.ru -

В этом году SK Hynix начнет выпуск 36-слойной флэш-памяти 3D NAND

Компания SK Hynix в этом году пополнит узкий круг производителей, серийно выпускающих флэш-память с объемной компоновкой (3D NAND), утверждает источник со ссылкой на слова руководства компании, сказанные в ходе недавней пресс-конференции по итогам квартала.

Еще в конце прошлого года специалистами южнокорейской компании были завершены приготовления к серийному выпуску такой памяти и созданы 24-слойные образцы. Серийный выпуск в SK Hynix намерены начать с 36-слойных чипов, а в будущем году перейти к 48-слойным.

Ожидается, что основной конкурент компании, Samsung Electronics, развернет серийный выпуск 48-слойной памяти 3D NAND еще в этом году. Компания Samsung первой начала серийный выпуск флэш-памяти NAND с объемной компоновкой [1] — в августе 2013 года было объявлено о выпуске 24-слойной памяти V-NAND плотностью 128 Гбит. В мае прошлого года компания Samsung начала серийный выпуск первых 32-слойных чипов флэш-памяти 3D V-NAND [2] и SSD, в которых они используются.

Месяц назад свой вариант 48-слойной флэш-памяти 3D NAND (BiCS) представили SanDisk и Toshiba [3]. В гонке также участвуют Intel и Micron.

Многослойная компоновка позволяет повысить плотность чипов, разместив на той же площади кристалла большее число ячеек.

Источник: CDR Info [4]

Источник [5]


Сайт-источник PVSM.RU: http://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: http://www.pvsm.ru/news/89716

Ссылки в тексте:

[1] Samsung первой начала серийный выпуск флэш-памяти NAND с объемной компоновкой: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/07/32

[2] Samsung начала серийный выпуск первых 32-слойных чипов флэш-памяти 3D V-NAND: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/98/14

[3] свой вариант 48-слойной флэш-памяти 3D NAND (BiCS) представили SanDisk и Toshiba: http://www.ixbt.com/news/ht/187322

[4] CDR Info: http://cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=43434

[5] Источник: http://www.ixbt.com/news/ht/188085