X-FAB сделала техпроцесс SOI экономически более привлекательным для автомобильной электроники, чем CMOS на монолитной подложке

Немецкий производитель полупроводниковой продукции X-FAB Silicon Foundries представил первый в отрасли экономически эффективный 180-нанометровый техпроцесс SOI, предназначенный для выпуска промышленной и автомобильной электроники, которой приходится работать в сложных условиях.

По словам производителя, новая платформа XT018 превосходит технологию CMOS с монолитной подложкой — как по параметрам готовой продукции, так и по стоимости. Экономия, как утверждается, достигает 30%. Исчерпывающая поддержка со стороны производителя позволяет сократить сроки проектирования и получать работающие изделия с первой попытки.

Платформа XT018 специально спроектирована в расчете на выпуск полупроводниковых приборов с рабочим напряжением до 200 В, способных работать при температурах до 175°C.

Как утверждается, в X-FAB XT018 удалось объединить достоинства технологии SOI в виде глубокой щелевой изоляции и технологии CMOS с шестью слоями металлизации. Использование пластин SOI и глубокой щелевой изоляции вместо изоляции переходами, используемой в CMOS, приводит к упрощению конструкции и устранению паразитных биполярных эффектов взаимодействия с подложкой, снижая риск «защелкивания». Кроме того, это дает возможность изготавливать приборы, сложные для изготовления по технологии CMOS и BCD. Еще одним достоинством является возможность более плотной компоновки.

Платформа XT018 уже доступна для заказчиков.

Источник: X-FAB ^[1]

Источник ^[2]