Intel и Micron представили революционную энергонезависимую память 3D Xpoint, которая в 1000 раз быстрее NAND

в 13:12, , рубрики: Новости, метки:


Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel.

Intel и Micron 3D Xpoint

По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка (в 1000 раз). При этом она настолько же долговечнее, а также в 10 раз превосходит по плотности обычную память DRAM.

В первую очередь Intel и Micron позиционируют новую разработку в качестве решений для систем, работающих с большими объёмами данных (центры обработки данных и прочее). Но, если верить пресс-релизу, 3D Xpoint доберётся и до потребительского сегмента.

Архитектура для новой памяти была разработана с нуля без использования транзисторов. Структуру 3D Xpoint, как утверждает Intel, можно представить в виде своеобразной шахматной доски, на которой ячейки памяти располагаются на пересечении разрядной шины и числовой шины (отсюда и название памяти). Это позволяет считывать и записывать данные небольшими объёмами, что повышает эффективность работы памяти.

Intel и Micron 3D Xpoint

Помимо этого, архитектура позволяет реализовать многослойную структуру, что повышает плотность памяти. В частности, первое поколение памяти 3D Xpoint позволяет создавать микросхемы плотностью 128 Гбит, включающие в себя два слоя по 64 Гбит. В дальнейшем технология будет совершенствоваться, что позволит создавать ещё более плотную память с большим количеством слоёв.

Intel и Micron 3D Xpoint

Производство памяти 3D Xpoint начнётся уже в текущем году, а первые устройства на основе данной технологии можно ожидать на рынке в начале следующего. Скорее всего, в первую очередь это будут продукты для серверного сегмента. О стоимости и о техпроцессе производства пока ничего не сообщается.

Источник:
Intel

Источник

Поделиться новостью

* - обязательные к заполнению поля