- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Toshiba представила флэш-память NAND TSV с рекордным количеством слоев

Вслед за анонсом флэш-памяти BiCS с возросшей плотностью [1], компания Toshiba представила новое поколение памяти NAND с использованием межслойных соединений Through Silicon Via (TSV). Новые микросхемы флэш-памяти стали первыми в мире, в которых насчитывается 16 расположенных вертикально кристаллов.

Toshiba NAND TSV

Представлено два прототипа микросхем NAND объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) с интерфейсом Toggle DDR. Их габариты равны 14 х 18 х 1,35 мм, высота микросхемы емкостью 256 ГБ выросла до 1,9 мм. По словам Toshiba, высокая скорость операций ввода/вывода в 1 Гбит/с сочетается с низковольтным потреблением: 1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода, обеспечивая 50-процентное снижение энергопотребления в сравнении с аналогами компании Toshiba.

Новинки должны найти применение в устройствах, где требуется высокое соотношение производительности и энергопотребления, включая корпоративные SSD.

Источник:
Toshiba [2]

Источник [3]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/95417

Ссылки в тексте:

[1] флэш-памяти BiCS с возросшей плотностью: http://www.ixbt.com/news/2015/08/04/toshiba-48-3d-nand-bics.html

[2] Toshiba: http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html

[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2015/08/06/toshiba-nand-tsv.html