- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск [1] флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит.
Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в отрасли микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит. Это соответствует объёму памяти одной микросхемы 32 ГБ. Количество слоёв при этом достигает 48.
Согласно данным Samsung, энергопотребление новых микросхем на 30% меньше, нежели у представленных в прошлом году. Производительность при этом выросла примерно на 40%. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.
Источник:
Samsung [2]
Источник [3]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/95813
Ссылки в тексте:
[1] начала выпуск: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?18/33/62
[2] Samsung: http://global.samsungtomorrow.com/samsung-electronics-begins-mass-producing-industry-first-256-gigabit-3d-v-nand-flash-memory/
[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2015/08/11/samsung-3d-v-nand-256.html
Нажмите здесь для печати.