Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли чипов памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит. Они выпускаются по техпроцессу 20-нанометрового класса.
На сегодняшний день это наибольшая плотность памяти для мобильных устройств. Упаковывая в одном корпусе два или четыре чипа, можно выпускать микросхемы объемом 3 и 6 ГБ соответственно. Кстати, сейчас это единственный вариант изготовить микросхему мобильной памяти DDR4 объемом 6 ГБ. Немаловажно, что новые микросхемы объемом 6 ГБ занимают столько же места, как и нынешние микросхемы объемом 3 ГБ, обеспечивая дополнительную гибкость конструкторам мобильных устройств.
Новые микросхемы не только емкие, но и быстрые. Они передают данные со скоростью 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что на треть выше показателя микросхем памяти LPDDR4 из компонентов плотностью 8 Гбит и вдвое выше показателя памяти DDR4-2133 для ПК. При этом они потребляют на 20% меньше энергии.
Южнокорейский производитель рассчитывает, что преимущества новой памяти продолжат ей дорогу не только в мобильные устройства, но и в другие области применения, включая мини-ПК, бытовую и автомобильную электронику.
Источник: Samsung Electronics
