Intel готова начать производство памяти MRAM

Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный ^[1] в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM ^[2] (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.

Мы не будем подробно останавливаться на устройстве и принципах работы MRAM-памяти — много детальной информации вы найдете по ссылке выше. Отметим лишь ее основные характеристики. Итак, Intel использует схему «запись — проверка — запись» и двухэтапную технологию измерения тока для того, чтобы построить перпендикулярные массивы STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM) объемом 7 Мб, созданные по 22-нм технологии FinFET.

Схема ячейки MRAM

Будучи энергонезависимой памятью, массивы MRAM обеспечивают сохранность данных до 10 лет при температуре 200°C, выдерживают до 10⁶ циклов перезаписи и до 10¹² циклов чтения. Помимо высокой надежности, MRAM демонстрирует удивительно хороший уровень выхода продукта (всего 0,1% отбраковки), что, несомненно, скажется на себестоимости.

Приведем в табличке прочие характеристик:

Технология MRAM позволит преодолеть достигнутый предел миниатюризации элементов памяти. Кроме того, MRAM может эксплуатироваться в самых различных условиях, что вкупе делает ее оптимальной для различных устройств интернета вещей. В качестве недорогой энергозависимой памяти для такого рода устройств можно использовать Resistive RAM ^[3] (ReRAM) — еще один вид памяти, над которой сейчас активно работает Intel. Здесь же можно вспомнить Optane Memory ^[4] — работы в этом направлении также идут полным ходом. Вот сколько видов получается. Как говорится, больше памяти, хорошей и разной.

Автор: Виктор Гурылев

Источник ^[5]