Новый PM1633a SSD на 15 TБ в форм-факторе 2,5 дюйма предназначен для использования в корпоративных систем хранения данных. Samsung Electronics объявил, что теперь они готовы к производству твердотельного накопителя (SSD) с самым большим объемом памяти на сегодняшний день — 15.36 TБ.
Читать полностью »
Рубрика «nand» - 3
Samsung не перестает удивлять — 15 TБ SSD
2016-03-17 в 11:21, admin, рубрики: HDD-диски, IOPS, nand, PM1633a, Samsung, sas, SATA, ssd, Блог компании ua-hosting.company, Железо, Накопители, хранение данныхНеофициальное расширение памяти iPhone или Китайская победа над Американским маркетингом
2016-02-24 в 19:38, admin, рубрики: apple, AppleInternal, iOS, iphone, nand, лавсановые волокна, смартфоны 
Давным-давно, когда iPhone в России стоил дорого, многие покупали залоченные на AT&T айфоны с ибей, используя прокси-сим (гевейку) для анлока. В это время начался переход на iPhone 4, где способ с повышением модема до iPad'овского (06.15.00) не работал, последним софтовым анлоком был 01.59.00 (iOS 4.0), а обновление BaseBand требовало покупки новой гевейки. Вплоть до iOS 5.0, где новый модем 04.11.08 превратил множество устройств в iPod. Именно с этого момента расцвел этот удивительный китайский бизнес.
Под катом небольшая история от 2011 до наших дней с картинками.
Быстро поднятое не считается упавшим. Повышаем отказоустойчивость встраиваемых систем
2015-12-18 в 9:06, admin, рубрики: aufs, embedded linux, linux kernel, nand, rootfs, UBIFS, Настройка Linux, хранение данных 
Год назад выполнял довольно интересную работу по разработке встраиваемого компьютера для одного предприятия, занимающегося электроникой. Компьютер ничего принципиально интересного не представлял: процессор Cortex A-8, работающий на субгигагерцовых частотах, 512Mb DDR3, 1Gb NAND, легковесная сборка Linux. Однако устройству, в который компьютер встраивался, а значит и ему самому, предстояло работать в довольно жестких условиях. Широкий температурный диапазон (от -40 до +85 градусов Цельсия), влагостойкость, стойкость к электромагнитным излучениям, киловольтные импульсы по питанию, защита от статики в 4 кВ и много чего интересного, что хорошо описано в различных ГОСТах на спецтехнику, – это все про него. Одно из основных требований заказчика – срок выработки на отказ не менее 10 лет. При этом производитель обеспечивает гарантийный ремонт изделия в течении пяти лет, потому вопрос не риторический, а денежный и серьезный. В изделие была заложена соответствующая элементная база. Прибор с честью прошел испытания и получил требуемые сертификаты, но разговор не про то. Проблемы начались когда была изготовлена установочная партия, и устройства разошлись по отделам и КБ для создания прикладного ПО. Пошли возвраты с формулировкой: «Чего-то не загружается».
Читать полностью »
Проблеме чтения старых данных Samsung 840 Evo подвержены 840 и другие твердотельники
2015-05-12 в 22:25, admin, рубрики: 840, 840 Evo, nand, Samsung, Samsung 840, Samsung 840 Evo, Samsung 845DC, Samsung 845DC Evo, ssd, TLC NAND, деградация, Железо, Накопители, твердотельные накопителиПроизводительность диска зависит от температуры
Осенью прошлого года стало известно, что твердотельный накопитель Samsung 840 Evo теряет скорость при чтении старых данных. Записанную более месяца назад информацию можно было прочесть лишь с падением производительности, и компания Samsung вскоре выпустила патч с обновлением прошивки, который был призван решить эту проблему. Тогда было указано, что напряжения для ячеек со старыми данными были откалиброваны неправильно. Как выяснилось позднее, проблема всё равно оставалась, и решить её должно второе обновление, которое периодически перезаписывает старые данные в фоне. Пер Ханссон выяснил, что проблеме деградации подвержены и другие диски Samsung с памятью TLC NAND.
Читать полностью »
Технология RRAM достигла стадии коммерциализации
2014-12-23 в 13:01, admin, рубрики: nand, Железо, переводВ то время, когда первые чипы 3D NAND только ищут свой путь на рынок и многие производители NAND все еще улучшают свои разработки, в процессе развития находятся несколько перспективных технологий для создания памяти следующего поколения, которые планируют вытеснить флеш-память NAND в ближайшие 10 лет.
Одна из наиболее обещающих технологий — RRAM (Resistive Random Access Memory) — аналогично NAND, является энергонезависимой, то есть хранит данные без постоянного обеспечения питанием. В этом её принципиальное отличие от DRAM, которой требуется постоянный источник энергии. Несколько компаний занимаются разработками в области RRAM, в том числе гиганты полупроводниковой промышленности вроде Samsung и SanDisk, однако в настоящее время именно американский стартап Crossbar имеет наиболее продвинутый дизайн.
Коротко о новом: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит
2014-03-14 в 9:15, admin, рубрики: ddr3, dram, nand, Samsung, Блог компании Samsung, Железо, метки: ddr3, dram, nand, SamsungДобрый день!
Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.
Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
2013-08-07 в 3:10, admin, рубрики: nand, Samsung, будущее здесь, Накопители, нанотехнологии, метки: nand, Samsung 
В понедельник представители компании «Самсунг электроникс» заявили о начале производства трёхмерных вертикальных микросхем NAND. В чипах флэш-памяти нового типа благодаря структуре из слоёв кремния достигаются лучшие характеристики в сравнении с двумерными чипами; согласно заявлению корейской компании надёжность увеличится в 2—10 раз, а производительность процесса записи — в два раза. Таким образом «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.
Новая технология будет использоваться в широком круге задач, в том числе и для создания твёрдотельных накопителей объемом от 128 гигабайт до 1 терабайта. Продольная плотность записи новых микросхем составляет 128 бит, и они построены на основе технологии объемной памяти с ловушкой заряда (3D Charge Trap Flash). Обычная Charget Trap Flash впервые была представлена «Самсунгом» ещё в 2006 году.
Количество вертикальных слоёв микросхем достигает 24, но толщина их измеряется нанометрами, поэтому даже в микрометровом масштабе утолщение не будет заметно. Эксперты отмечают, что пределы количества слоёв пока неизвестны: сегодня это 24, в следующем поколении будет 32, а затем и это число увеличится.
Читать полностью »
Коротко о новом: Samsung запускает производство 3-битной MLC NAND памяти емкостью 128 Гбит на основе 10-нм техпроцесса
2013-04-12 в 9:33, admin, рубрики: flash, mlc, nand, samsung electronics, ssd, toggle ddr 2.0, Блог компании Samsung, Гаджеты. Устройства для гиков, Железо, метки: flash, mlc, nand, Samsung, samsung electronics, ssd, toggle ddr 2.0Samsung Electronics объявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с использованием 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле этого года. Высокоразвитый чип позволит эффективно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвастаться высоким уровнем производительности — скорость передачи данных составляет 400 МБ/с, а также поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0.
Перепрошивка роутера MikroTik RB532 (RouterOS 2.9) при переполненном диске
2013-01-14 в 2:13, admin, рубрики: mikrotik, nand, routeros, update, Сетевое оборудование, метки: mikrotik, nand, routeros, update Расчехлил недавно старенький MikroTik RB532. Настолько он старенький, что RouterOS на нём была версии аж 2.9. Ну и бес бы с ним, думаю, лишь бы работал.
Ан нет, не хочет, даже изменения не сохраняет. Через некоторое время я понял в чём дело: в /System/Resources доступный объём хранилища показывался равным нулю. То есть диск забит чем-то, что стандартными средствами не вычистить. В этой версии RouterOS нет никаких инструментов для очистки хранилища (раздел /Store появился только в 3.x). Вывод: или прошиваться, или...Читать полностью »
Флэш-память с подогревом до 800°C
2012-12-03 в 9:26, admin, рубрики: nand, PCM, Железо, Накопители, флэш-память, метки: nand, PCM, флэш-память 
Крупный тайваньский производитель флэш-памяти Macronix разработал технологию для увеличения срока жизни микросхем флэш-памяти с нынешних 10000 циклов записи до как минимум 100 000 000 циклов записи. Инженеры Macronix говорят, что срок жизни может быть и больше, в районе 1 миллиарда циклов. Для проверки этого нужно несколько месяцев.
Способ продления жизни флэш-памяти — довольно тривиальный, он обсуждался раньше, но до сих пор никто не мог его нормально реализовать. Речь идёт о подогреве микросхем на несколько миллисекунд до температуры 800°С.
Читать полностью »