Самосборные 3D-структуры для наноэлектроники

Инженеры МТИ изобрели новый способ самосборки проводов толщиной 15 нм ^[1] на кремниевой подложке, покрытой полимером. Толщина 15 нм в два с лишним раза меньше, чем размер компонентов в самых маленьких современных чипах. Таким образом, открывается дорога для дальнейшей миниатюризации микросхем.

Хотя провода 15 нм получали и в других экспериментах, но инженерам из МТИ впервые удалось спроектировать 3D-структуру в несколько слоёв (в два).

Поэтапный процесс самосборки проводов показан на иллюстрации и на видео. На кремниевой подложке методом электронной литографии создаётся решётка из миниатюрных столбиков толщиной 10 нм. Это возможно делать даже на серийном оборудовании для электронной литографии, которое установлено на заводах Intel, TSMC и других компаний.

Они покрываются блок-сополимером, который по своим свойствам стремится свернуться в длинные цилиндрические структуры. Точно рассчитав расстояние между столбиками, можно заранее «запрограммировать» блок-сополоимер на создание проводов требуемой формы и толщины, а также проложить для них маршрут по поверхности микросхемы. Столбики задают свойства не для одного, а для двух слоёв проводов, что позволяет создавать сложные 3D-конфигурации. В перспективе можно попробовать перейти и к трёхслойным конфигурациям, сохраняя полный контроль над структурой каждого слоя.

Это очень важная технология для создания электронных микросхем субмикронного размера. Исследователи из МТИ говорят, что в течение года намерены создать первое работоспособное электронное устройство.

Автор: alizar