Toshiba разработала 96-слойную память BiCS Flash

Компания Toshiba Memory Corporation объявила о создании образцов передовой 96-слойной флеш-памяти BiCS Flash 3D.

В изделиях применяется технология QLC, или Quad-Level Cell. Она предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке.

Reuters

Отмечается, что ёмкость одного чипа составляет 1,33 Тбит. При этом упаковка из 16 таких чипов обеспечит вместимость в 2,66 Тбайт.

Прототипы новых изделий будут демонстрироваться на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдёт в Санта-Кларе (Калифорния, США) с 6 по 9 августа.

Toshiba Memory начнёт поставлять образцы памяти производителям твердотельных накопителей и разработчикам SSD-контроллеров в первых числах сентября. Массовое производство планируется развернуть в следующем году.

Отметим, что в 2020 году корпорация Toshiba Memory намерена ввести в строй новый завод, который поможет нарастить объём выпуска 3D NAND. Предприятие расположится на сервере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Завод будет построен с использованием передовых технологий.

Источник ^[1]

Источник ^[2]