Магниторезистивную память Everspin договорились выпускать в Малайзии

Разработчик энергонезависимой памяти MRAM (Magnetoresistive RAM) Everspin Technologies сообщил о договорённости начать выпуск своей продукции на полупроводниковом производстве малайзийской компании SilTerra (в городе Кулим). Договор заключён на несколько лет и является частью трёхстороннего лицензионного договора между Everspin, SilTerra и немецкой компанией Bosch Sensortec, дочерней структурой компании Robert Bosch GmbH.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Интерес подразделения Bosch Sensortec заключается в разработке компанией Everspin датчиков магнитного поля на основе магнитного туннельного эффекта — TMR-сенсоров. Магнитные датчики находят всё более широкое применение как в мобильных устройствах, так и в самоуправляемом транспорте. Чувствительность датчиков TMR в разы выше, чем в случае предшествующих технологий, что находит отклик в сердцах проектировщиков автоматизированных систем.

В то же время завод SilTerra будет служить базой для расширения производства памяти Everspin MRAM. До сих пор память MRAM в заметных объёмах выпускал завод NXP в США и компания GlobalFoundries. С помощью малайзийских мощностей SilTerra компания Everspin рассчитывает умножить предложение интересной памяти для промышленности, компьютеров, медицины и транспорта. Массовое производство памяти MRAM в Малайзии планируется начать в календарном 2020 году.

При всех своих высоких эксплуатационных характеристиках — энергонезависимости, устойчивости к износу, высокой скорости записи и низких задержках — память MRAM обладает низкой плотностью записи. В массовом производстве находятся микросхемы MRAM плотностью 256 Мбит. С экономической точки зрения память подобного объёма оправдано устанавливать в решения, где нужны не объёмы, а повышенная надёжность работы. Например, использовать в качестве энергонезависимого буфера в SSD серверного класса, как это сделала компания IBM. Но пока разработчики и производители не научатся выпускать намного более плотную MRAM, эта перспективная разработка так и останется нишевым решением.

Источник ^[1]

Источник ^[2]